配線層10的表面進(jìn)行粗化。
[0061]接著，如圖4所示，對于作為絕緣層33的預(yù)浸料(日立化成工業(yè)株式會(huì)社制GEA-679FG)和在其外側(cè)作為金屬箔34的、在厚度5 μm的極薄銅箔上貼合有厚度18 ym的載體銅箔的帶有載體的極薄銅箔(三井金屬礦業(yè)株式會(huì)社制MT18SDH5)，以5 ym的極薄銅箔的粗糙面與絕緣層33粘接的方式構(gòu)成，利用真空熱壓進(jìn)行層疊，并剝落18 μπι的載體銅箔，從而形成層疊板3。
[0062]接著，如圖5所示，在層疊板3上設(shè)置層間連接用孔，通過填充鍍覆形成對金屬箔30與金屬箔34進(jìn)行層間連接的層間連接部21。
[0063]接著，如圖6所示，在設(shè)于比小一圈的金屬箔32的端部稍內(nèi)側(cè)的切斷位置5、5進(jìn)行切斷，從而將支撐基板4與上下各I塊層疊體3a各自分離，得到具有3層金屬箔32、30、34 (配線層12、10、14)的2塊層疊體3a。
[0064]接著，如圖7所示，對分離的層疊體3a最外層的金屬箔32及金屬箔34利用蝕刻法進(jìn)行加工，從而形成配線層12及配線層14的電路圖案。
[0065]接著，如圖8所示，在分離的層疊體3b的上下兩側(cè)，對于作為絕緣層35、37的預(yù)浸料(日立化成工業(yè)株式會(huì)社制GEA-679FG)和在其外側(cè)作為金屬箔36、38的、在厚度5 ym的極薄銅箔上貼合有厚度18 μπι的載體銅箔的帶有載體的極薄銅箔(三井金屬礦業(yè)株式會(huì)社制MT18SDH5)，以5 ym的極薄銅箔的粗糙面與絕緣層35、37粘接的方式構(gòu)成，利用真空熱壓進(jìn)行層疊，并剝落18 μ m的載體銅箔，從而形成層疊板3c。
[0066]接著，如圖9所示，與層間連接部20、21同樣，形成將絕緣層35、37貫通的層間連接部22、23。然后，對層疊體I上下兩側(cè)的最外層的金屬箔36、38用蝕刻法進(jìn)行加工，從而形成配線層16、18的電路圖案。通過以上，能夠制作翹曲被抑制并且薄型化的多層配線板。另外，對于該多層配線板，由于至少層間連接部20、21可以用無芯法制作，因此能夠以低成本提高連接可靠性。
[0067]工業(yè)實(shí)用性
[0068]本發(fā)明可以應(yīng)用于層疊有奇數(shù)配線層的多層配線板及其制造方法。
[0069]附圖標(biāo)記說明
[0070]1:多層配線板；3、3a、3b、3c:層疊體；4:支撐基板；10:中央配線層；11:絕緣層(第I絕緣層)；12:配線層(第I配線層)；13:絕緣層(第2絕緣層)；14:配線層(第2配線層)；15:絕緣層(第3絕緣層)；16:配線層(第3配線層)；17:絕緣層(第4絕緣層)；18:配線層(第4配線層)；20:層間連接部(第I層間連接部)；21:層間連接部(第2層間連接部)；22:層間連接部(第3層間連接部)；23:層間連接部(第4層間連接部)；30:金屬箔(第2金屬箔)；31:絕緣層(第I絕緣層)；32:金屬箔(第I金屬箔)；33:絕緣層(第2絕緣層)；34:金屬箔(第3金屬箔)；35:絕緣層(第3絕緣層)；36:金屬箔(第4金屬箔)；37:絕緣層(第4絕緣層)；38:金屬箔(第5金屬箔)；41:絕緣層(支撐絕緣層)；42:金屬箔(支撐金屬箔)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種多層配線板，其為層疊有奇數(shù)配線層的多層配線板，具備: 配置于所述奇數(shù)配線層的層疊方向中央的中央配線層、 配置于所述中央配線層的層疊方向的一方的第I絕緣層及第I配線層、 配置于所述中央配線層的層疊方向的另一方的第2絕緣層及第2配線層、 將所述第I絕緣層貫通而對所述中央配線層與所述第I配線層進(jìn)行層間連接的截面梯形形狀的第I層間連接部、和 將所述第2絕緣層貫通而對所述中央配線層與所述第2配線層進(jìn)行層間連接的截面梯形形狀的第2層間連接部， 所述第I層間連接部以在所述中央配線層的一方進(jìn)行連接的方式配置并且所述第2層間連接部以在所述中央配線層的另一方進(jìn)行連接的方式配置，所述第I及第2層間連接部的截面梯形形狀的錐形朝向?yàn)橄嗤较颉?br>2.如權(quán)利要求1所述的多層配線板， 進(jìn)一步具備截面梯形形狀的第3層間連接部，所述第3層間連接部配置于所述中央配線層的一方且配置于與所述第I層間連接部相比更靠一方表層的一側(cè)， 所述第I及第2層間連接部的截面梯形形狀的錐形朝向與所述第3層間連接部的截面梯形形狀的錐形朝向?yàn)橄喾捶较颉?br>3.如權(quán)利要求2所述的多層配線板， 進(jìn)一步具備第3絕緣層及第3配線層，所述第3絕緣層及所述第3配線層配置于所述中央配線層的一方且配置于與所述第I絕緣層及所述第I配線層相比更靠所述一方表層的一側(cè)， 所述第3層間連接部將所述第3絕緣層貫通而對所述第I配線層與所述第3配線層進(jìn)行層間連接。
4.如權(quán)利要求2或3所述的多層配線板， 所述第3層間連接部配置于所述一方的表層。
5.如權(quán)利要求1?4中任一項(xiàng)所述的多層配線板， 進(jìn)一步具備截面梯形形狀的第4層間連接部，所述第4層間連接部位于所述中央配線層的另一方且配置于與所述第2層間連接部相比更靠另一方表層的一側(cè)， 所述第I及第2層間連接部的截面梯形形狀的錐形朝向與所述第4層間連接部的截面梯形形狀的錐形朝向?yàn)橄嗤较颉?br>6.如權(quán)利要求5所述的多層配線板， 進(jìn)一步具備第4絕緣層及第4配線層，所述第4絕緣層及所述第4配線層配置于所述中央配線層的另一方且配置于與所述第2絕緣層及所述第2配線層相比更靠所述另一方表層的一側(cè)， 所述第4層間連接部將所述第4絕緣層貫通而對所述第2配線層與所述第4配線層進(jìn)行層間連接。
7.—種多層配線板的制造方法，其為層疊奇數(shù)配線層的多層配線板的制造方法，具備: (a)在支撐絕緣層的至少一個(gè)面上配置有支撐金屬箔的支撐基板的所述支撐金屬箔上，將比所述支撐金屬箔更小的第I金屬箔與比所述第I金屬箔更大的第I絕緣層及第2金屬箔依次重疊并進(jìn)行加熱加壓的步驟； (b)使所述第I絕緣層朝著所述支撐基板貫通，形成對所述第I金屬箔與所述第2金屬箔進(jìn)行層間連接的第I層間連接部的步驟； (c)在所述第2金屬箔上，將第2絕緣層及第3金屬箔重疊并進(jìn)行加熱加壓的步驟； (d)使所述第2絕緣層朝著所述支撐基板貫通，形成對所述第3金屬箔與所述第2金屬箔進(jìn)行層間連接的第2層間連接部的步驟；和 (e)在具有所述第1、第2及第3金屬箔、所述第I及第2絕緣層、以及所述第I及第2層間連接部的層疊體的所述第I金屬箔與所述支撐基板的所述支撐金屬箔之間，將所述層疊體從所述支撐基板分離的步驟。
8.如權(quán)利要求7所述的多層配線板的制造方法，進(jìn)一步具備: (f)在所述層疊體的從所述支撐基板分離的一側(cè)即一方形成的所述第I金屬箔上，重疊第3絕緣層及第4金屬箔，并且在與所述層疊體的所述分離的一側(cè)相反的另一方形成的所述第3金屬箔上，重疊第4絕緣層及第5金屬箔，并進(jìn)行加熱加壓的步驟； (g)使所述第3絕緣層從所述一方的表層朝著所述另一方貫通，形成對所述第I金屬箔與所述第4金屬箔進(jìn)行層間連接的第3層間連接部的步驟；和 (h)使所述第4絕緣層從所述另一方的表層朝著所述一方貫通，形成對所述第3金屬箔與所述第5金屬箔進(jìn)行層間連接的第4層間連接部的步驟。
9.如權(quán)利要求7或8所述的多層配線板的制造方法，進(jìn)一步具備: (i)對所述第2金屬箔進(jìn)行加工而形成中央配線層的步驟。
10.如權(quán)利要求7?9中任一項(xiàng)所述的多層配線板的制造方法，進(jìn)一步具備: U)對所述層疊體的所述第I金屬箔及所述第3金屬箔進(jìn)行加工而在所述層疊體的兩面形成第I配線層及第2配線層的步驟。
11.如權(quán)利要求7?10中任一項(xiàng)所述的多層配線板的制造方法，進(jìn)一步具備: (k)在所述步驟(d)之后且在所述步驟(e)之前，以期望的次數(shù)反復(fù)進(jìn)行如下步驟而形成具有偶數(shù)層的絕緣層的所述層疊體的步驟:在所述第3金屬箔上，重疊絕緣層及金屬箔并進(jìn)行加熱加壓，并且使該絕緣層朝著所述支撐基板貫通，形成對所述支撐基板側(cè)的金屬箔與從所述支撐基板分離一側(cè)的金屬箔進(jìn)行層間連接的層間連接部。
【專利摘要】多層配線板(1)具有：配置于奇數(shù)配線層中央的中央配線層(10)；分別配置于中央配線層(10)上下的絕緣層(11)、(13)、(15)、(17)和配線層(12)、(14)、(16)、(18)；以及將絕緣層(11)、(13)貫通而進(jìn)行配線層(10)、(12)、(14)的層間連接的截面梯形形狀的層間連接部(20)、(21)。層間連接部(20)以在中央配線層(10)下方進(jìn)行連接的方式配置并且層間連接部(21)以在中央配線層(10)上方進(jìn)行連接的方式配置，層間連接部(20)、(21)的截面梯形形狀的錐形朝向?yàn)橄嗤较颉?br>【IPC分類】H05K3-46, H01L23-12
【公開號】CN104685978
【申請?zhí)枴緾N201380049332
【發(fā)明人】西田貴紀(jì), 牛山雄滋
【申請人】日立化成株式會(huì)社
【公開日】2015年6月3日
【申請日】2013年9月26日
【公告號】US20150282301, WO2014050995A1