制的字線。
[0068]圖9A示出了從主機(jī)數(shù)據(jù)字線WL0-WL63分開選擇線S⑶、SGS的偽字線“DWL”。雖然主機(jī)數(shù)據(jù)字線用于存儲(chǔ)主機(jī)數(shù)據(jù)(即，可以從外部源發(fā)送到存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)，期望將響應(yīng)于讀取命令而返回該數(shù)據(jù))，偽字線不存儲(chǔ)主機(jī)數(shù)據(jù)。它們可能什么都不存儲(chǔ)，或者可以存儲(chǔ)將偽單元置于期望條件(例如，將它們的閾值電壓置于使得訪問其他單元更容易、或者減小干擾的危險(xiǎn)的電平)的某些偽數(shù)據(jù)。示出的偽字線提供存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)的某些保護(hù)。具體來說，最接近選擇柵極的字線由于其接近選擇柵極而可能是易受數(shù)據(jù)干擾影響的。通過使得該字線是偽字線，減少了干擾主機(jī)數(shù)據(jù)的危險(xiǎn)。在某些情況下，可以在選擇線和主機(jī)數(shù)據(jù)字線之間提供兩個(gè)或更多偽字線，因?yàn)楦蓴_的位線從選擇線延伸多于一條字線。偽字線可以位于除示出的單個(gè)位置之外的其他位置。例如，一個(gè)或多個(gè)偽字線可以位于主機(jī)數(shù)據(jù)字線和背柵極(“BG”)之間。偽字線通常具有與主機(jī)數(shù)據(jù)字線相同的物理結(jié)構(gòu)，以使得偽字線的數(shù)目和位置可配置用于任何給定陣列結(jié)構(gòu)。
[0069]在塊A和塊B相遇的情況下，在兩個(gè)塊中(S卩，在塊A的串η和塊B的串I之間)存在偽存儲(chǔ)器單元。在該例子中，在每個(gè)塊中提供偽單元的NAND串的一半，以使得由兩個(gè)偽字線分開兩個(gè)塊的主機(jī)數(shù)據(jù)字線。這是要減小如果不同塊的主機(jī)數(shù)據(jù)字線彼此直接地相鄰則可能出現(xiàn)的干擾。也提供未連接到控制電路(標(biāo)記“NC”用于“未連接”)的偽選擇線，其中在該例子中相鄰的塊相遇。根據(jù)存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)和操作要求，偽字線的不同布置、和塊之間的其它偽結(jié)構(gòu)是可能的。例如，可以連接選擇線，相鄰的塊的背柵極(back gate)可以比示出的更接近，可以以不同方式連接偽字線，等等。
[0070]另外在圖9B中示出圖9A的三維NAND存儲(chǔ)器陣列，圖9B示出了沿著圖9A的A_A’的截面(即，沿著與WLO和WL63相交的x-y平面)?？梢钥闯鰤K的字線由連接在一起的導(dǎo)電材料帶形成。由此，在塊的不同串中的標(biāo)記為WLO的全部字線被電連接在一起且從單個(gè)導(dǎo)電體921形成。類似地，在塊的不同串中的標(biāo)記WL63的全部字線電連接在一起且由單個(gè)導(dǎo)電體923形成。形成在給定電平上的塊的字線的兩個(gè)主體顯得好像從塊的相對(duì)側(cè)延伸的交錯(cuò)的手指。這兩個(gè)主體可以由淺槽隔離(STI)電介質(zhì)、或者由任何適當(dāng)?shù)慕^緣體分開?？梢栽谧志€的每個(gè)電平處找到類似圖案(pattern)(例如，WLl和WL62類似地交錯(cuò)，WL2和WL61也是，等等)。不同塊的字線彼此隔離(isolated)。由此，塊A的WLO是分開的，且與塊B的WLO電氣地隔離。類似地，塊A的WL63是分開的，且與塊B的WLO電氣地隔離。
[0071]存儲(chǔ)器孔被示為圓形(存儲(chǔ)器孔在形狀上是圓柱形且垂直于示出的截面在z方向上延伸)。U形的NAND串925沿著兩個(gè)存儲(chǔ)器孔927、929延伸，其中一個(gè)存儲(chǔ)器孔927穿過主體923且另一存儲(chǔ)器孔929穿過主體921。一個(gè)串組由沿著x方向?qū)?zhǔn)且共享選擇線(也沿著X方向延伸)的所有這種串構(gòu)成。例如，一個(gè)這種組由在塊B中由“串3”指示的全部串(包括串925)構(gòu)成。當(dāng)選擇一塊內(nèi)的給定的串組時(shí)，所選的字線(或者字線的部分，即與字線相交的位線的子集)可以通過將適當(dāng)?shù)淖志€電壓施加到所選的字線和未選擇的字線來讀取。
[0072]連接字線驅(qū)動(dòng)器以將適當(dāng)?shù)碾妷汗?yīng)到塊的連接的字線(例如，主體923和921)，以使得可以訪問(例如，編程或者讀取)塊的字線。連接選擇線驅(qū)動(dòng)器以將適當(dāng)?shù)碾妷汗?yīng)到選擇線，以使得選擇一塊中特定的串組。
[0073]因?yàn)榇嬖谘刂鴫K內(nèi)的位線的多個(gè)串，因此當(dāng)訪問(例如，讀取或者編程)存儲(chǔ)器時(shí)需要指定特定的串。雖然在二維NAND中，指定塊和字線(或者字線的部分)通常足以在諸如以上示出的三維結(jié)構(gòu)中指定唯一的數(shù)據(jù)，但是對(duì)于給定塊和字線可能有存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)的η個(gè)不同部分(其中η是沿著塊中的位線的串的數(shù)目)。塊內(nèi)的可一起選擇的串組是在單個(gè)字線和塊之間的中間大小的單元。這種單元從特定的三維存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)、諸如圖9Α和圖9Β中示出的三維存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)產(chǎn)生。
[0074]不可柃[H數(shù)據(jù)
[0075]在存儲(chǔ)器系統(tǒng)中使用誤差校正碼(ECC)方案在存儲(chǔ)之前編碼數(shù)據(jù)是普遍的。當(dāng)讀取這種數(shù)據(jù)時(shí)，解碼該數(shù)據(jù)且可以校正讀取的數(shù)據(jù)直到某些限制。限制通常取決于使用的ECC方案且具體來說取決于添加的冗余的量。雖然少量的壞位可以由ECC校正，但是大量壞位可能不可由ECC校正(“UECC”)以使得需要某些其它方法。
[0076]在有些情況下，使用一組讀取條件從存儲(chǔ)器陣列讀取的數(shù)據(jù)可能被發(fā)現(xiàn)是UECC。如果使用不同組讀取條件再次從存儲(chǔ)器陣列讀取數(shù)據(jù)，則數(shù)據(jù)可能是可由ECC校正的(即它可能具有在以高置信度水平校正的ECC方案的能力內(nèi)的壞位數(shù)目)。處理讀取誤差的方式的例子可以在美國專利N0.5，532，962中找到。
[0077]某些讀取故障模式對(duì)二維(2-D)存儲(chǔ)器和三維(3-D)存儲(chǔ)器是公共的，而其他故障模式是三維存儲(chǔ)器特定的?？偟膩碚f，三維的部件布置給出了在被設(shè)計(jì)為要隔離的部件之間短路或者泄露的另外的可能性(例如，由于電介質(zhì)的缺陷)。雖然二維存儲(chǔ)器中的特定的線、諸如字線可能具有將任一側(cè)上的相鄰字線短路的可能性，但是三維存儲(chǔ)器中的線還可能與之上或之下的相鄰的線短路。另外，三維存儲(chǔ)器的復(fù)雜幾何形狀和困難的工藝要求可能使得在三維存儲(chǔ)器中更可能存在缺陷。雖然ECC可能能夠處理少量壞位，但諸如由短路或者泄露的部件引起的大量壞位可能不是可由ECC校正的。例如，如果字線與另一部件短路，則可能有沿著字線的大量壞位以使得沿著字線的數(shù)據(jù)可能是UECC。
[0078]已經(jīng)發(fā)現(xiàn)某些故障模式提供可能由涉及那些特定的圖案的方法解決的壞數(shù)據(jù)的圖案。這種圖案可能是三維存儲(chǔ)器的物理結(jié)構(gòu)的結(jié)果。雖然某些缺陷可能僅影響單個(gè)單元、少量單元或者單個(gè)字線，但其他缺陷可能影響存儲(chǔ)器陣列的較大單元。通過確定UECC數(shù)據(jù)的程度，可以識(shí)別適當(dāng)?shù)姆椒▉硖幚鞺ECC數(shù)據(jù)而不影響其他數(shù)據(jù)。
[0079]例如，在有些情況下，缺陷可能引起遍及一個(gè)串組的數(shù)據(jù)是UECC，而保持其他串組中的數(shù)據(jù)是不受影響的。圖10示出了遍及串X的存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)是UECC而同一塊中的其他串組(串X-1、串X-2、...等和串X+1、串X+2、...等)中的數(shù)據(jù)可由ECC校正的例子。將理解圖10的截面示出了來自每個(gè)組的單個(gè)代表性串，且一個(gè)串組、諸如串X由共享相同選擇線的所有串形成。術(shù)語“串X”在這里可能是指在塊中具有編號(hào)“X”的所有串，即，共享一個(gè)或多個(gè)選擇線(例如SGS和SGD)的在y方向上對(duì)準(zhǔn)的串組。
[0080]由于影響串X但是不影響其他串的某些特定的故障模式，數(shù)據(jù)可能遍及串X是UECC0在其他例子中，故障模式可以引起兩個(gè)相鄰串中的數(shù)據(jù)變?yōu)閁ECC，而同一塊中其他串中的數(shù)據(jù)保持可由ECC校正的。例如，相鄰串的選擇線之間的短路可能引起兩個(gè)串的數(shù)據(jù)變?yōu)閁ECC。在圖10中，串X的S⑶和串X+1的S⑶之間的短路可能引起串X和串X+1兩者的數(shù)據(jù)變?yōu)閁ECC，而該塊中所有其他串的數(shù)據(jù)保持不受影響。
[0081]根據(jù)例子，當(dāng)沿著特定的串組的字線遇到UECC數(shù)據(jù)時(shí)，進(jìn)行關(guān)于存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)是否遍及該串組是UECC的確定。這可以通過使用相同讀取條件讀取該串組中一個(gè)或多個(gè)其他字線的數(shù)據(jù)和執(zhí)行讀取的數(shù)據(jù)的ECC解碼來實(shí)現(xiàn)。由此，如果特定的串的WLO的數(shù)據(jù)是UECC，則例如，相同塊中相同串的WL20和WL40可以被讀取以看看存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)是否也是UECC?？梢噪S機(jī)地或者根據(jù)預(yù)定圖案選擇適當(dāng)?shù)臉颖?。如果多于閾值?shù)目的字線包含作為UECC的數(shù)據(jù)，則可以考慮數(shù)據(jù)是遍及串組的UECC。典型地，使用某些組默認(rèn)的讀取條件執(zhí)行這種讀取。隨后，可以使用一組或多組修改的讀取條件來嘗試找到提供ECC可校正數(shù)據(jù)的讀取條件。
[0082]可以改變各種條件以找到提供ECC可校正數(shù)據(jù)的一組讀取條件。例如，可以修改施加到所選的字線的電壓。可以修改施加到所選的串組中的未選擇的字線的電壓(讀取-通過電壓)。可以對(duì)于偽字線或者主機(jī)數(shù)據(jù)字線、或者對(duì)于偽字線和主機(jī)數(shù)據(jù)字線兩者修改這種讀取-通過電壓?？梢孕薷氖┘拥揭粋€(gè)或者兩個(gè)選擇線(SGS、S⑶)的電壓?？梢孕薷氖┘拥奖硸艠O的電壓?？梢孕薷氖┘拥焦蚕硐嗤瑝K選擇電路的相鄰未選擇塊的電壓(以下討論)。可以一起修改包括這些及其他條件的條件的組合?？梢愿鶕?jù)預(yù)定圖案、或者基于從一個(gè)迭代到另一迭代的某些反饋(例如，使用ECC結(jié)果來指示特定的修改提供更好的或者更壞的結(jié)果)來進(jìn)行修改?？偟膩碚f，可以進(jìn)行這種修改直到某些限制，其可能是最大時(shí)間、最大迭代數(shù)目或者某些其它限制。如果在限制內(nèi)未發(fā)現(xiàn)成功的讀取條件(產(chǎn)生ECC可校正數(shù)據(jù)的條件)，則可以使用某些其它方法來獲得所需數(shù)據(jù)(例如，可以從其它地方存儲(chǔ)的冗余數(shù)據(jù)恢復(fù)數(shù)據(jù))。
[0083]如果找到成功的讀取條件，則可以存儲(chǔ)成功的讀取條件以用于來自串X的數(shù)據(jù)的任何之后的讀取。雖然可以使用默認(rèn)的一組讀取條件繼續(xù)執(zhí)行從其他串的讀取，但是存儲(chǔ)器系統(tǒng)可以記錄串X需要修改的一組讀取條件。由此，特定的串組內(nèi)UECC的解決方案應(yīng)用于特定的串組而不影響其他串組。
[0084]可以在包含存儲(chǔ)器陣列(存儲(chǔ)器裸芯)的同一集成電路的芯片上、或在另一集成電路的芯片外執(zhí)行成功的讀取條件的記錄。例如，在存儲(chǔ)器控制器、或者專用集成電路(ASIC)連接到存儲(chǔ)器裸芯時(shí)，成功的讀取條件可以由控制器記錄，且每當(dāng)讀取命令被尋址到串組時(shí)都可以由控制器發(fā)送。
[0085]圖11是示出如上所述的用于處理UECC數(shù)據(jù)的方案的流程圖。當(dāng)確定數(shù)據(jù)是UECC時(shí)(151)，進(jìn)行關(guān)于數(shù)據(jù)是否是遍及包含數(shù)據(jù)的串組的UECC的確定(153)。如果數(shù)據(jù)不是遍及該串組的UECC，則可以發(fā)現(xiàn)解決方案是對(duì)數(shù)據(jù)的字線或者其他更小部分特定的(例如，使用冗余數(shù)據(jù)來重構(gòu)該數(shù)據(jù)部分)(155)。如果數(shù)據(jù)是遍及該串組的UECC，則應(yīng)用修改的讀取條件以獲得UECC可校正數(shù)據(jù)(157)。當(dāng)找到成功的讀取條件時(shí)，存儲(chǔ)它們以用于遍及串組的之后的使用(159)。
[0086]本發(fā)明的方面可以應(yīng)用于除