了串組之外的數(shù)據(jù)單元?？偟膩碚f，當發(fā)現(xiàn)UECC數(shù)據(jù)時，可以進行關于數(shù)據(jù)是否是遍及包含該數(shù)據(jù)的某些較大單元的UECC的確定。例如，可以進行關于是否數(shù)據(jù)是遍及串組(如上所述)、遍及塊、遍及塊的某些組或者遍及某些其它單元的UECC的確定。
[0087]圖12是圖示處理UECC數(shù)據(jù)的方法的某些方面的流程圖。當使用某些讀取條件讀取發(fā)現(xiàn)數(shù)據(jù)是UECC時(261)，進行關于當使用那些讀取條件讀取時數(shù)據(jù)是否是遍及某些較大單元的UECC的確定(263)。如果數(shù)據(jù)不是遍及較大單元的UECC(例如，是對字線特定的)，則可以應用對是UECC的數(shù)據(jù)而特定的(例如，對單獨的字線特定的)不同解決方案(265)。如果其是遍及較大單元的UECC，則應用修改的讀取條件以找到成功的讀取條件(267)。這些成功的讀取條件然后被記錄以用于遍及該較大單元使用(269)。
[0088]圖13圖示當使用默認讀取條件讀取時包含作為遍及塊的UECC的數(shù)據(jù)的塊，即，塊Xo塊X由包含UECC數(shù)據(jù)的η個串(在圖13中省略串3到η_1)構成。由此，在該情況下，UECC數(shù)據(jù)不限于塊內的特定的串組而是延伸遍及該塊的所有串1-η。因此，在該例子中的解決方案應用于整個塊。具體來說，當使用默認讀取條件確定數(shù)據(jù)是遍及塊X的UECC，且應用修改的讀取條件以找到成功的讀取條件時，記錄成功的讀取條件以用于遍及塊X的數(shù)據(jù)的后續(xù)讀取。可以使用默認讀取條件繼續(xù)讀取其他塊，諸如塊X-1和塊Χ+1。
[0089]在有些情況下，兩個或更多塊可以共享塊選擇電路。這種共享的塊選擇電路的例子在美國專利公開N0.2011/0267885中示出。例如，塊X和塊Χ+1在某些存儲器設計中可以共享塊選擇電路且為了選擇目的可以考慮是成對塊。這種成對、或者分組(可以多于兩個)的塊可以具有影響作為單元的一對或者一組塊的具體的故障模式。
[0090]圖14示出了成對塊的例子，其中每對塊共享塊選擇電路。例如，塊X和塊Χ+1共享塊選擇電路471。塊Χ+2和塊Χ+3共享塊選擇電路473，等等。當訪問特定的數(shù)據(jù)時，選擇特定的字線、包含該字線的串組和包含該串組的塊。塊選擇電路將所選的塊(例如，塊X)的字線連接到以讀取和讀取-通過電壓適當?shù)仄珘旱牡谝蝗肿志€475。共享的塊選擇電路471將未選擇的成對塊(例如，塊Χ+1)的字線連接到偏壓到某個低電壓的分開的第二全局字線477。在有些情況下，塊之間的短路或者泄漏可能影響兩個塊中的讀取。例如，可以從圖9Α看到如果塊之間的絕緣不足，則塊X的WLO和塊Χ+1的WLO之間的短路或者泄漏可能出現(xiàn)。由于塊內的連接的字線，這種缺陷將影響兩個塊的所有串。例如，為了讀取塊X的串的字線，可能需要將讀取-通過電壓施加到WLO。如果塊X的WLO泄漏到塊Χ+1 (其典型地在比讀取-通過電壓低的某個電壓處)，則塊X的WLO上的有效電壓可能不足以使得存儲器單元沿著WLO導電，且可能導致遍及塊X和塊X+1的UECC數(shù)據(jù)。對于不成對的塊，未選擇塊的字線通常將浮置(與全局字線隔離)，且到這種字線的滲漏將不顯著地影響施加到所選的塊的電壓。
[0091]用于這種UECC數(shù)據(jù)的修改的讀取條件可能包括施加到共享塊選擇電路的任何塊的修改的電壓。例如，代替施加某個低電壓到成對塊的字線，可以使用等于、或者較接近于所選的塊的讀取-通過電壓的較高電壓，以使得消除或者減少任何泄露?？梢砸栽摲绞叫薷氖┘拥絺魏?或主機數(shù)據(jù)字線的電壓。雖然可以總是施加高電壓到與所選的塊共享塊選擇電路的未選擇塊，但是這可能導致顯著的功耗且通常不是期望的。因此，可以僅在實際上發(fā)現(xiàn)UECC數(shù)據(jù)時將修改的電壓施加到未選擇塊，同時在所有其他情況下將低電壓施加到與所選的塊分組的未選擇塊。
[0092]雖然該例子涉及字線，但是塊之間的其他元件的短路也可能導致遍及一對塊的UECC數(shù)據(jù)。例如，可能在沿著塊邊界的部分串中的偽字線之間出現(xiàn)短路?？赡茉谙噜弶K的背柵極之間出現(xiàn)短路?？赡茉谙噜弶K的選擇線之間出現(xiàn)短路(如果它們不連接則可能不顯著，但是如果它們連接則可能是顯著的)。
[0093]圖15是圖示處理UECC數(shù)據(jù)的例子的流程圖。當遇到UECC數(shù)據(jù)時(581)，做出關于數(shù)據(jù)是否是遍及共享塊選擇電路的塊的組(例如，對)的UECC的確定(583)。如果數(shù)據(jù)是遍及該組的UECC，則應用修改的讀取條件以獲得ECC可校正數(shù)據(jù)(585)。存儲成功的讀取條件以用于遍及該組塊的之后的使用(587)。除了(或者代替)施加到所選的塊的不同電壓，這種條件可以包括施加到該組內的一個或多個未選擇塊的不同電壓。如果數(shù)據(jù)不是遍及該組塊的UECC，則應用更多限制的解決方案(589)。
[0094]以上各種方案可以以各種方式組合。例如，當發(fā)現(xiàn)UECC數(shù)據(jù)時，可以做出一系列確定，即關于是否數(shù)據(jù)是遍及串組不可校正的確定，且如果數(shù)據(jù)是遍及串組不可校正的，關于是否數(shù)據(jù)是遍及塊不可校正的確定，且如果數(shù)據(jù)是遍及塊不可校正的，關于是否數(shù)據(jù)是遍及一組塊不可校正的確定。由此，可以識別遍及其數(shù)據(jù)是UECC的最大單元，且采取適當?shù)膭幼饕越鉀Q遍及該受影響的單元的問題。
[0095]圖16示出了可以用于實現(xiàn)上面描述的某些方法的硬件的例子。具體來說，圖16示出了包括存儲器裸芯604和控制器裸芯606的存儲器系統(tǒng)602。該存儲器裸芯包括存儲器陣列608和讀/寫電路610。當控制器從主機接收讀取命令時，其使用讀/寫電路610來訪問特定的數(shù)據(jù)。存儲器控制器606包括用于解碼由讀/寫電路610發(fā)送的數(shù)據(jù)的ECC電路612。在來自讀/寫電路610的數(shù)據(jù)由ECC電路612發(fā)現(xiàn)為不可校正的情況下，檢測電路614可以發(fā)送另外的讀取請求到讀/寫電路610以確定數(shù)據(jù)是否是遍及某個或者某些較大單元的UECC。如果數(shù)據(jù)是遍及某個較大單元的UECC，則適應性讀取電路616可以以不同組的讀取條件將一個或多個另外的讀取請求發(fā)送到讀/寫電路610。可以以不同讀取條件發(fā)送一系列這種讀取請求，直到返回可由ECC電路612校正的數(shù)據(jù)為止。當找到成功的讀取條件時，由ECC電路612校正的數(shù)據(jù)被發(fā)送到主機，且成功的讀取條件被記錄在記錄電路618中。將理解，在存儲器系統(tǒng)602中存在另外的部件。這種另外的部件可以包括圖1所示的現(xiàn)有的部件。這里描述的各種電路可以是以ASIC形成的專用電路、配置用于特定目的的可編程邏輯電路，或者可以使用通過固件或者某個組合配置用于特定目的的通用電路實現(xiàn)。
[0096]雖然以上描述涉及特定的三維非易失性存儲器陣列內的單元的特定的例子，但是將理解本發(fā)明的方面可以應用于不同存儲器系統(tǒng)中的不同單元。此外，雖然相對于以上例子討論特定的讀取條件，但是可以修改任何適當?shù)淖x取條件以獲得ECC可校正數(shù)據(jù)。
[0097]結論
[0098]已經呈現(xiàn)前述【具體實施方式】以用于說明和描述的目的。其不意在為排他的或者限制本發(fā)明到所公開的確切形式。根據(jù)上述教導，多個修改和變更是可能的。選擇描述的實施例以最好地解釋本發(fā)明的原理和其實際應用，以由此使本領域技術人員能夠最好地利用各種實施例中和具有各種修改的本發(fā)明，以適合于考慮的特定使用。本發(fā)明的范圍意在由附于此的權利要求限定。
【主權項】
1.一種操作三維非易失性NAND存儲器的方法，包括: 應用第一組讀取條件到塊的第一部分以獲得第一數(shù)據(jù)； 執(zhí)行第一數(shù)據(jù)的誤差校正碼(ECC)解碼； 確定第一數(shù)據(jù)是不可由ECC校正的； 響應于確定所述塊的第一部分中的第一數(shù)據(jù)是不可由ECC校正的，確定三維NAND存儲器內的大于所述塊的第一部分的較大單元當使用第一組讀取條件讀取時是否不可由ECC校正，所述較大單元包括:(i)共享塊選擇電路的包括所述塊的多個塊、(ii)所述塊、或者(iii)所述塊內的由公共選擇線一起選擇的串組； 如果存儲的數(shù)據(jù)是遍及所述較大單元而不可由ECC校正的，則將修改的讀取條件應用于所述塊的第一部分以找到提供可由ECC校正的第二數(shù)據(jù)的第二組讀取條件；和 返回校正的第二數(shù)據(jù)并記錄所述第二組讀取條件以用于所述較大單元的數(shù)據(jù)的后續(xù)讀取。2.如權利要求1所述的方法，其中，所述第一組讀取條件包括應用于所選的字線的第一讀取電壓，且所述第二組讀取條件包括應用于所選的字線的第二讀取電壓，所述第二讀取電壓不同于所述第一讀取電壓。3.如權利要求1所述的方法，其中，所述第一組讀取條件包括應用于未選擇的字線的第一讀取-通過電壓，且所述第二組讀取條件包括應用于所述未選擇的字線的第二讀取-通過電壓，所述第二讀取-通過電壓不同于所述第一讀取-通過電壓。4.如權利要求1所述的方法，其中，所述第一組讀取條件包括應用于選擇線的第一選擇電壓，且所述第二組讀取條件包括應用于所述選擇線的第二選擇電壓，所述第二選擇電壓不同于所述第一選擇電壓。5.如權利要求1所述的方法，其中，所述第一組讀取條件包括應用于未選擇的串組的選擇線的第一未選擇電壓，且所述第二組讀取條件包括應用于所述未選擇的串組的選擇線的第二未選擇電壓，所述第二未選擇電壓不同于所述第一未選擇電壓。6.如權利要求1所述的方法，其中，所述第一組讀取條件包括應用于偽字線的第一讀取-通過電壓，且所述第二組讀取條件包括應用于偽字線的第二讀取-通過電壓。7.如權利要求1所述的方法，其中，所述第一組讀取條件包括被提供給與所述塊共享塊選擇電路的未選擇塊的主機數(shù)據(jù)字線、偽字線和/或選擇線的第一電壓，且所述第二組讀取條件包括被提供給所述未選擇塊的主機數(shù)據(jù)字線、偽字線和/或選擇線的第二電壓，所述第二電壓不同于所述第一電壓。8.如權利要求7所述的方法，其中，所述第一電壓和第二電壓被提供給所述未選擇塊的字線，且所述第二電壓高于所述第一電壓。9.如權利要求1所述的方法，其中，如果多于閾值數(shù)目的修改的讀取條件被應用于所述塊的第一部分而沒有找到提供可由ECC校正的第二數(shù)據(jù)的第二組讀取條件，則從在其他塊中存儲的冗余數(shù)據(jù)恢復所述塊的第一部分的數(shù)據(jù)。10.一種操作三維非易失性NAND存儲器的方法，在所述三維非易失性NAND存儲器中，每個塊包括連接到每個位線的多個串，沿著位線的每個串可由不同選擇線選擇以使得單獨的選擇線選擇不同位